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VHDL是 Very High Speed Integrated Circuit Hardware DescriptionLanguage的英文缩写。期中Very High Speed Integrated Circuit 又简称为VHSIC，为非常高速集成电路的意思。VHDL电路设计语言规范的目的，即是要提供一个高阶且快速的设计工具，他涵盖了电路之描述，电路之合成与电路之仿真等三大电路设计工作. Verilog HDL 是一种 硬件描述语言 ( hardware description language ) ，为了制作 数位电路 ( 数字电路 )而用来描述 ASICs 和 FPGAs 的设计之用。 Verilog 的设计者想要以 C 程序语言 ( en:C programming language ) 为基础设计一种语言，可以使工程师比较熟悉跟容易接受。事实上，它产生与 C 程序语言类似的不严谨性质，并且大概与 Pascal 很相像。ASIC是指为特定的用户、某种专门或特别的用途而设计的电路。toshiba电子元器件

电容器在电路中一般用“C”加数字表示.如C25表示编号为25的电容.电容器的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。a;直标法是将电容的标称值用数字和单位在电容的本体上表示出来：如：220MF表示220UF；.01UF表示0.01UF；R56UF表示0.56UF;6n8表示6800PF.b;不标单位的数码表示法.其中用一位到四位数表示有效数字,一般为PF,而电解电容其容量则为UF.如:3表示3PF;2200表示2200PF;0.056表示0.056UF;c;数字表示法:一般用三为数字表示容量的大小,前两位表示有效数字,第三位表示10的倍幂.如102表示10*102=1000PF;224表示22*104=0.2UFd:用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。中国电子元器件采购网电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量。

场效应管与晶体管的比较：（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管

场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极,场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.半导体二极管的伏安特性.

电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻；电阻器的英文缩写：R（Resistor） 及排阻RN；电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）, 兆欧姆（MΩ）；电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）, 兆欧姆（MΩ）；电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。431电子元件

MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。toshiba电子元器件

IC工艺线宽：线宽：4微米、1微米、0.6微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米等， 是指IC生产工艺可达到的比较小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标。线宽越小，集成度就高，在同一面积上就集成更多电路单元。前工序:IC制造工程中，晶圆光刻的工艺（即所谓流片），被称为前工序，这是IC制造比较要害的技术。后工序晶圆流片后，其切割、封装等工序被称为后工序。了解更多相关资讯，欢迎来电咨询；我们真诚期待您的来电。toshiba电子元器件